BSO207P
PDF資料下載

BSO207P參數(shù)：MOSFET DUAL P-CH 20V 5.7A 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012
標準包裝：2,500
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個P溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5.7A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：45毫歐@5.7A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.2V@40µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：23.4nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1013pF@15V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：P-DSO-8